N-Channel 30 V 3.16A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Ürün Açıklaması

SI2306BDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 3.16A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 4.5 nC @ 5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 305 pF @ 15 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 750mW (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme SOT-23-3 (TO-236) Paket / Kılıf TO-236-3, SC-59, SOT-23-3