N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Ürün Açıklaması

SIS402DN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® 1212-8 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 35A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 6mOhm @ 19A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.2V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® 1212-8 Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 42 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1700 pF @ 15 V