N-Channel 30 V 60A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount CPT3

Ürün Açıklaması

RS1E180BNTB - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 60A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 18A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 3W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 1mA Tedarikçi Paketleme CPT3 Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 46 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2400 pF @ 15 V