N-Channel 30 V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

Ürün Açıklaması

TPN1R603PL,L1Q - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 80A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.1V @ 300µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 41 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3900 pF @ 15 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 104W (Tc) Çalışma Sıcaklığı 175°C Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-TSON Advance (3.1x3.1) Paket / Kılıf 8-PowerVDFN