N-Channel 30V 18A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Ürün Açıklaması

SIR472ADP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 18A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.3V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 28nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1040pF @ 15V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8 Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8