N-Channel 30V 39A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

SI4126DY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 39A 8SO Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 39A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 2.75mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 105nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4405pF @ 15V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-SOIC Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)