N-Channel 350 V 6.3A (Ta) Surface Mount Die

Ürün Açıklaması

EPC2050 - EPC - TRANS GAN BUMPED DIE FET Tipi N-Channel Teknoloji GaNFET (Gallium Nitride) Drain Source Gerilimi (Vdss) 350 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 6.3A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 5V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 4 nC @ 5 V Maksimum Gain Source Gerilimi +6V, -4V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 628 pF @ 280 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) - Çalışma Sıcaklığı -40°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme Die Paket / Kılıf Die