N-Channel 40 V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Ürün Açıklaması

PSMN4R0-40YS,115 - NEXPERIA USA INC. - MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 40 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 100A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2410 pF @ 20 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 106W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme LFPAK56, Power-SO8 Paket / Kılıf SC-100, SOT-669