N-Channel 40 V 10.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Ürün Açıklaması

SI7116DN-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 40 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 10.5A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 16.4A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1.5W (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PowerPAK® 1212-8 Paket / Kılıf PowerPAK® 1212-8