N-Channel 40 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Ürün Açıklaması

SIR426DP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 30A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8 Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 40 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 31 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1160 pF @ 20 V