N-Channel 40 V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

Ürün Açıklaması

SIDR402DP-T1-RE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 64.6A (Ta), 100A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 0.88mOhm @ 20A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.3V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8DC Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi +20V, -16V Drain Source Gerilimi (Vdss) 40 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 165 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 9100 pF @ 20 V