N-Channel 400 V 13.4A (Ta), 144A (Tc) 3.8W (Ta), 429W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2

Ürün Açıklaması

IMT40R011M2HXTMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SIC-MOS Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf 8-PowerSFN Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 13.4A (Ta), 144A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 37.1A, 18V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 3.8W (Ta), 429W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 5.6V @ 13.3mA Tedarikçi Paketleme PG-HSOF-8-2 Derece - Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 18V Maksimum Gain Source Gerilimi +23V, -7V Drain Source Gerilimi (Vdss) 400 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 85 nC @ 18 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3770 pF @ 200 V Kalifikasyon -