N-Channel 40V 19A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO

Ürün Açıklaması

SI4840BDY-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 40V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 19A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12.4A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 50nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2000pF @ 20V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 2.5W (Ta), 6W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-SO Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)