N-Channel 40V 41.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Ürün Açıklaması

SIR640ADP-T1-GE3 - VİSHAY SİLİCONİX - MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 41.6A (Ta), 100A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 2mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 90nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4240pF @ 20V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 6.25W (Ta), 104W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8 Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8