N-Channel 40V 58A (Tc) 4.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Ürün Açıklaması

SI7884BDP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 40V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 58A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 77nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3540pF @ 20V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 4.6W (Ta), 46W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8 Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8