N-Channel 450 V 5.5A (Ta) Through Hole TO-220SIS

Ürün Açıklaması

TK6A45DA(STA4,Q,M) - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 450 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 5.5A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2.8A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.4V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 11 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 490 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) - Çalışma Sıcaklığı 150°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220SIS Paket / Kılıf TO-220-3 Full Pack