N-Channel 500 V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Ürün Açıklaması

TK12A50D(STA4,Q,M) - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-220-3 Full Pack Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 12A (Ta) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 520mOhm @ 6A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 45W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 1mA Tedarikçi Paketleme TO-220SIS Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Drain Source Gerilimi (Vdss) 500 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 25 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1350 pF @ 25 V