N-Channel 500 V 4.6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3

Ürün Açıklaması

IRFI840GPBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 500 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 4.6A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 850mOhm @ 2.8A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 67 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1300 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 40W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220-3 Paket / Kılıf TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab