N-Channel 500 V 64A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Ürün Açıklaması

IXFX64N50Q3 - IXYS - MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 500 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 64A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 85mOhm @ 32A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 6.5V @ 4mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 145 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 6950 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1000W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PLUS247™-3 Paket / Kılıf TO-247-3 Variant