N-Channel 500 V 8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Ürün Açıklaması

TK8A50D(STA4,Q,M) - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 500 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 8A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 16 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 800 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 40W (Tc) Çalışma Sıcaklığı 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220SIS Paket / Kılıf TO-220-3 Full Pack