N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Ürün Açıklaması

IRF840ASPBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 500 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 8A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4.8A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1018 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TO-263 (D2PAK) Paket / Kılıf TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB