N-Channel 55 V 46A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Ürün Açıklaması

BUK9Y19-55B,115 - NEXPERIA USA INC. - MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 55 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 46A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 5V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 17.3mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 18 nC @ 5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±15V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1992 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 85W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece Automotive Kalifikasyon AEC-Q101 Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme LFPAK56, Power-SO8 Paket / Kılıf SC-100, SOT-669