N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK

Ürün Açıklaması

STB80NF55L-08-1 - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 55 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 80A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±16V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4350 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 300W (Tc) Çalışma Sıcaklığı 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme I2PAK Paket / Kılıf TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA