N-Channel 60 V 200A (Ta), 349A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)

Ürün Açıklaması

CSD18536KTTT - TEXAS INSTRUMENTS - MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 200A (Ta), 349A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.2V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 140 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 11430 pF @ 30 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 375W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TO-263 (DDPAK-3) Paket / Kılıf TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA