N-Channel 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Ürün Açıklaması

2N7000-G - MICROCHIP TECHNOLOGY - MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Paketleme Bag Paket / Kılıf TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Montaj Tipi Through Hole Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 200mA (Tj) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 1W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 1mA Tedarikçi Paketleme TO-92-3 Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 60 pF @ 25 V