N-Channel 60 V 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Ürün Açıklaması

SIR186LDP-T1-RE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 48 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1980 pF @ 30 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 5W (Ta), 57W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8 Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8