N-Channel 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Ürün Açıklaması

2N7002K-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 300MA TO236 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 300mA (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 30 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 350mW (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme SOT-23-3 (TO-236) Paket / Kılıf TO-236-3, SC-59, SOT-23-3