N-Channel 60 V 32A (Ta) 1.6W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Ürün Açıklaması

TPH4R606NH,L1Q - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 32A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 6.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 500µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 49 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3965 pF @ 30 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1.6W (Ta), 63W (Tc) Çalışma Sıcaklığı 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-SOP Advance (5x5) Paket / Kılıf 8-PowerVDFN