N-Channel 60 V 40A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Ürün Açıklaması

TK40A06N1,S4X - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-220-3 Full Pack Montaj Tipi Through Hole Çalışma sıcaklığı 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 40A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 20A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 30W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 300µA Tedarikçi Paketleme TO-220SIS Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 23 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1700 pF @ 30 V