N-Channel 60 V 42A (Ta), 198A (Tc) 5.3W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 10-TCPAK

Ürün Açıklaması

NTMJST1D4N06CLTXG - ONSEMI - TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 42A (Ta), 198A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1.49mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 92.2 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 6555 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 5.3W (Ta), 116W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 10-TCPAK Paket / Kılıf 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)