N-Channel 60 V 45.6A (Ta) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

Ürün Açıklaması

SIDR626LDP-T1-RE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 45.6A (Ta) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 20A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8DC Derece - Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 135 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 5900 pF @ 30 V Kalifikasyon -