N-Channel 60 V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Ürün Açıklaması

SIR182DP-T1-RE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 60A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 15A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 69.4W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 3.6V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8 Maksimum Sürüş Gerilimi 7.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 64 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3250 pF @ 30 V