N-Channel 60 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Ürün Açıklaması

TPN22006NH,LQ - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 9A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 6.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4.5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 100µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 12 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 710 pF @ 30 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 700mW (Ta), 18W (Tc) Çalışma Sıcaklığı 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-TSON Advance (3.3x3.3) Paket / Kılıf 8-PowerVDFN