N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Ürün Açıklaması

SIHA14N60E-GE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 600V Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-220-3 Full Pack Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 13A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 309mOhm @ 7A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 147W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Tedarikçi Paketleme TO-220 Full Pack Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Drain Source Gerilimi (Vdss) 600 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 64 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1205 pF @ 100 V