N-Channel 600 V 15A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB

Ürün Açıklaması

SIHP15N60E-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-220-3 Montaj Tipi Through Hole Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 15A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 180W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Tedarikçi Paketleme TO-220AB Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Drain Source Gerilimi (Vdss) 600 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 78 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1350 pF @ 100 V