N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

Ürün Açıklaması

TK20J60W,S1VE - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 600 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 20A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 155mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3.7V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 48 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1680 pF @ 300 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 165W (Tc) Çalışma Sıcaklığı 150°C Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-3P(N) Paket / Kılıf TO-3P-3, SC-65-3