N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Ürün Açıklaması

SPP20N60S5XKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - HIGH POWER_LEGACY FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 600 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 20A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.5V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 103 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3000 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 208W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO220-3-1 Paket / Kılıf TO-220-3