N-Channel 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

Ürün Açıklaması

SIHB100N60E-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 30A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 100mOhm @ 13A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 208W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 5V @ 250µA Tedarikçi Paketleme D²PAK (TO-263) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Drain Source Gerilimi (Vdss) 600 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 50 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1851 pF @ 100 V