N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Ürün Açıklaması

FCD4N60TM - ONSEMI - MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 600 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 3.9A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 540 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 50W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TO-252AA Paket / Kılıf TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63