N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3

Ürün Açıklaması

STQ1HNK60R-AP - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 400mA (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 8.5Ohm @ 500mA, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 3W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 3.7V @ 250µA Tedarikçi Paketleme TO-92-3 Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Drain Source Gerilimi (Vdss) 600 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 10 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 156 pF @ 25 V