N-Channel 600 V 4A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount TO-252

Ürün Açıklaması

R6004END3TL1 - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 4A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 980mOhm @ 1.5A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 59W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 1mA Tedarikçi Paketleme TO-252 Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 600 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 15 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 250 pF @ 25 V