N-Channel 600 V 51A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC

Ürün Açıklaması

SIHG050N60E-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-247-3 Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 51A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 50mOhm @ 23A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 278W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 5V @ 250µA Tedarikçi Paketleme TO-247AC Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Drain Source Gerilimi (Vdss) 600 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 130 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3459 pF @ 100 V