N-Channel 600 V 5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Ürün Açıklaması

TK5A60D(STA4,Q,M) - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 600 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 5A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1.43Ohm @ 2.5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.4V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 16 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 700 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 35W (Tc) Çalışma Sıcaklığı 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220SIS Paket / Kılıf TO-220-3 Full Pack