N-Channel 600 V 7.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Ürün Açıklaması

TK1K0A60F,S4X - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-220-3 Full Pack Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı 150°C Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 7.5A (Ta) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.8A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 40W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 770µA Tedarikçi Paketleme TO-220SIS Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Drain Source Gerilimi (Vdss) 600 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 24 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 890 pF @ 300 V