N-Channel 600V 47A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AD

Ürün Açıklaması

SIHW47N60E-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD Paketleme Tube Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 600V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 47A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 64mOhm @ 24A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 220nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 9620pF @ 100V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 357W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247AD Paket / Kılıf TO-3P-3 Full Pack