N-Channel 600V 4A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251-3

Ürün Açıklaması

Özellik Değer Paketleme Tube Part Status Not For New Designs Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 2A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 14.5nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 640pF @ 25V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 104W (Tc) Çalışma sıcaklığı -50°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-251-3 Paket / Kılıf TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA