N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247

Ürün Açıklaması

TK62N60X,S1F - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247 Paketleme Tube Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 600V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 61.8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 40mOhm @ 21A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3.5V @ 3.1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 135nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 6500pF @ 300V Fet Özelliği Super Junction Maksimum Güç Tüketimi 400W (Tc) Çalışma sıcaklığı 150°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247 Paket / Kılıf TO-247-3