N-Channel 65 V 4A (Ta) Surface Mount Die

Ürün Açıklaması

EPC8009 - EPC - GANFET N-CH 65V 4A DIE FET Tipi N-Channel Teknoloji GaNFET (Gallium Nitride) Drain Source Gerilimi (Vdss) 65 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 4A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 5V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 0.45 nC @ 5 V Maksimum Gain Source Gerilimi +6V, -4V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 52 pF @ 32.5 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) - Çalışma Sıcaklığı -40°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme Die Paket / Kılıf Die