N-Channel 650 V 100A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264

Ürün Açıklaması

IXFK100N65X2 - IXYS - MOSFET N-CH 650V 100A TO264 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 100A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 30mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.5V @ 4mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 180 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 11300 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1040W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-264 Paket / Kılıf TO-264-3, TO-264AA