N-Channel 650 V 105A (Tc) 440W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2

Ürün Açıklaması

IMT65R020M2HXUMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SILICON CARBIDE MOSFET FET Tipi N-Channel Teknoloji SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 105A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 20V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 18mOhm @ 46.9A, 20V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.6V @ 9.5mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 57 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +23V, -7V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2038 pF @ 400 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 440W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PG-HSOF-8-2 Paket / Kılıf 8-PowerSFN